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三星電子推20納米級制程DRAM計劃點評
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http://china-zesir.com 發(fā)稿日期:2010-11-23
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- 中研網(wǎng)訊：
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三星電子(SamsungElectronics)2011年將致力于提升DRAM存儲器半導體制程技術水平，再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導體事業(yè)部專務趙南成表示，2010年采用30納米級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20納米級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術，維護業(yè)界領先地位。
2010-2012年中國電動工具行業(yè)市場預測與投資前景 【出版日期】 2010年11月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個 【2010-2011年中國風電變流器產(chǎn)業(yè)專題研究分析報告 《2010-2011年中國風電變流器產(chǎn)業(yè)專題研究報告》是風電變流器領域?qū)I(yè)和全面的深度研究報2010-2013年中國無水印花機行業(yè)運行形勢與投資戰(zhàn) 【出版日期】 2010年11月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2010-2012年中國鋁電解電容器產(chǎn)業(yè)鏈全景分析及投 【出版日期】 2010年11月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個20納米后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式，而是采用既有的浸潤方式制作。納米制程是將半導體電路線幅微縮至人類頭發(fā)4,000分之1粗細的制造工程。半導體制程越是微細，可以大幅縮減半導體大小，在單一晶圓(wafer)上生產(chǎn)的半導體數(shù)量可增加，或降低產(chǎn)品生產(chǎn)的費用。
三星計劃于2011年下半推出的20納米級制程DRAM產(chǎn)品，其量產(chǎn)性估計較30納米級產(chǎn)品提高約60%。三星2009年率先量產(chǎn)40納米級DRAM產(chǎn)品，接著2010年7月也領先業(yè)界首度投入30納米制程量產(chǎn)作業(yè)。海力士(Hynix)目前則是以40納米制程量產(chǎn)DRAM，并計劃2011年初將投入30納米制程產(chǎn)品量產(chǎn)。
日本爾必達(Elpida)和美國美光(Micron)等排名第3、4名的半導體廠目前主要以50納米級制程量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，并正準備轉(zhuǎn)換為40納米制程。以DRAM制程技術為基礎，三星2010年第3季在DRAM市場上首度將市占率拉抬至40%以上。
三星若能依照訂定的目標，于2011年下半推出20納米級制程DRAM產(chǎn)品，無論是在韓國境內(nèi)或海外，與其它競爭公司的技術能力將有明顯差距，在DRAM市場上也將出現(xiàn)三星獨大的情況。
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