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內(nèi)存市場不斷進化 潛力有待充分挖掘
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http://china-zesir.com 發(fā)稿日期:2008-6-3
- 【搜索關鍵詞】：研究報告 投資分析 市場調(diào)研 內(nèi)存 電容器 CNT
- 中研網(wǎng)訊：
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利用目前的制程工藝，DRAM電容器與閃存存儲單元的尺寸已接近物理極限，難以進一步縮小。因此，內(nèi)存制造商投入更多的精力開發(fā)DRAM和閃存以外的另類內(nèi)存解決方案。面向特定用途的幾種不同的專用內(nèi)存目前已經(jīng)可供使用。雖然這些新產(chǎn)品近期都不太可能挑戰(zhàn)批量產(chǎn)品，但至少都有提供以下特點的可能性：以低功耗快速讀寫；非易失性，具有較長的數(shù)據(jù)保持時間與循環(huán)壽命；較小的單元尺寸。
2008-2009年中國IC卡行業(yè)研究咨詢報告 近幾年，中國IC卡行業(yè)步入產(chǎn)業(yè)分工合作、規(guī)模應用起步、產(chǎn)品由低端向高端延伸發(fā)展的新階段，產(chǎn)品2008-2012年中國機械停車設備市場調(diào)查與發(fā)展前景 隨著我國城市尤其是大城市建設的快速發(fā)展，大量現(xiàn)代化高層建筑和住宅小區(qū)的出現(xiàn)使城市土地越發(fā)金貴2009-2010年中國激光加工設備市場調(diào)查與發(fā)展前景 我國激光加工產(chǎn)業(yè)規(guī)模從1990年的1200萬元，發(fā)展到2007年末的30億元，十幾年間增長了2009-2010年中國電機產(chǎn)業(yè)市場調(diào)查與發(fā)展前景分析 【出版日期】 2008年12月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150磁阻RAM(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)和相變RAM(PCRAM)是人們討論最多的DRAM和閃存替代方案。相對于目前的DRAM和閃存，上述技術(shù)都有自己的優(yōu)勢，但從成本或技術(shù)角度來看，也存在一些缺點。
電阻RAMReRAM/RRAM是另外一種可能的選擇。富士通(Fujitsu)、英特爾(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究這種技術(shù)。這些廠商相信，ReRAM將比閃存快100倍，而尺寸將優(yōu)于相變RAM或MRAM等其它先進內(nèi)存。
碳納米管(CNT)技術(shù)也大有前途。近期內(nèi)這種技術(shù)可能用于系統(tǒng)內(nèi)存，長期可能用于復雜的邏輯器件。納米管RAM(NRAM)單元利用幾個懸在金屬電極上面的CNT制成。當在納米管上面施加一個微弱的偏壓時，納米管就向著電極的方向“下垂”，直到接觸為止。此時納米管被視為處于邏輯1狀態(tài)。當取消偏壓之后，納米管脫離電極，邏輯狀態(tài)恢復為零。NRAM的優(yōu)點包括具有SRAM的速度、密度遠高于DRAM、功耗低于DRAM和閃存。另外，它不怕惡劣環(huán)境，而且具有很好的縮微性。
此外，最近廠商宣布的“memristor”(記憶電阻)，可能是內(nèi)存供應商為創(chuàng)造一種通用內(nèi)存而渴望的技術(shù)突破。memristor是一種電路元件，在尺寸縮小過程中可以改善性能。
市場調(diào)研公司ICInsights堅信，內(nèi)存市場(尤其是DRAM)是進化性的，而不是革命性的。在必須轉(zhuǎn)向納米管、PCRAM或MRAM等另類內(nèi)存技術(shù)之前，內(nèi)存供應商將繼續(xù)充分挖掘現(xiàn)有技術(shù)/架構(gòu)的潛力。迄今為止，沒有一種另類內(nèi)存能夠提供具有足夠誘人的解決方案，使之優(yōu)于現(xiàn)有的內(nèi)存。
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